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FDC6561AN

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: FDC6561AN
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 700mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket SuperSOT™-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 3.2nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 220pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.5A

Auf Lager 27681 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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