Image is for reference only , details as Specifications

SIA527DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SIA527DJ-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 7.8W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 500pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A

Auf Lager 36100 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DMN3018SSD-13
Diodes Incorporated
$0
QS6M3TR
ROHM Semiconductor
$0
SIA931DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI1902DL-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI1965DH-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0