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PMDXB600UNEZ
| Hersteller: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | PMDXB600UNEZ |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 265mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 620mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | DFN1010B-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.7nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 21.3pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 600mA |
Auf Lager 21178 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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