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IRLMS1902TR

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRLMS1902TR
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.7W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket Micro6™(TSOP-6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 300pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V

Auf Lager 63 pcs

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