IRLML6402TR
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRLML6402TR |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 65mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1.3W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | Micro3™/SOT-23 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 12nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 633pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 73 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1