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IRLML6302TR

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRLML6302TR
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 540mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket Micro3™/SOT-23
Gate Charge (Qg) (Max.) 3.6nC @ 4.45V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 97pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 780mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V

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