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IRFSL7530PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFSL7530PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 375W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-262
Gate Charge (Qg) (Max.) 411nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 13703pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 74 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.64 $1.61 $1.58
Minimale: 1

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