Image is for reference only , details as Specifications
TK9A60D(STA4,Q,M)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TK9A60D(STA4,Q,M) |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | π-MOSVII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 830mOhm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 45W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220SIS |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 24nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1200pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 70 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.63 | $1.60 | $1.57 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
