Image is for reference only , details as Specifications

TK9A55DA(STA4,Q,M)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK9A55DA(STA4,Q,M)
Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSVII
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 860mOhm @ 4.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 40W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1050pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.63 $1.60 $1.57
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPA50R520CPXKSA1
Infineon Technologies
$1.63
NVMFS6H800NLWFT1G
ON Semiconductor
$1.63
IPP120N08S404AKSA1
Infineon Technologies
$1.63
IXFY5N50P3
IXYS
$1.62
SKP253
Sanken
$1.62