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IRFH4257DTRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRFH4257DTRPBF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 25W, 28W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket Dual PQFN (5x4)
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1321pF @ 13V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A

Auf Lager 89 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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