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IRF9389PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRF9389PBF
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Tube
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer IRF9389
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 27mOhm @ 6.8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 398pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.8A, 4.6A

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