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QJD1210SA1
| Hersteller: | Powerex, Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | QJD1210SA1 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Powerex, Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Bulk |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 520W |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 34mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 15V |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 330nC @ 15V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 8200pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A |
Auf Lager 66 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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