Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPD95R1K2P7ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD95R1K2P7ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 6A TO252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 140µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 52W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 950V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 478pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2313 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF7458TRPBF
Infineon Technologies
$0
IPB054N06N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD80P03P4L07ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD50N03S2L06ATMA1
Infineon Technologies
$0