Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSZ150N10LS3GATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSZ150N10LS3GATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 33µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TSDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2500pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4599 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRF7458TRPBF
Infineon Technologies
$0
IPB054N06N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD80P03P4L07ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD50N03S2L06ATMA1
Infineon Technologies
$0
AUIRLL014NTR
Infineon Technologies
$0