IPD80P03P4L07ATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPD80P03P4L07ATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 88W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO252-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 80nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5700pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) |
Auf Lager 2224 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1