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IPD65R600E6BTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD65R600E6BTMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 63W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 440pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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