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PSMN3R5-30LL,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN3R5-30LL,115
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V QFN3333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.6mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 71W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 37nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2061pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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