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PSMN035-100LS,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN035-100LS,115
Beschreibung: MOSFET N-CH QFN3333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 32mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 65W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1350pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 52 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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