Image is for reference only , details as Specifications

IPB031N08N5ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB031N08N5ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 108µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.1mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 167W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max.) 87nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6240pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 444 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRFS7734TRL7PP
Infineon Technologies
$0
AUIRF8736M2TR
Infineon Technologies
$0
IPD65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IRL3713STRLPBF
Infineon Technologies
$0