Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPD65R190C7ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD65R190C7ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ C7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 290µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 72W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1150pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2475 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IRL3713STRLPBF
Infineon Technologies
$0
IPB011N04NGATMA1
Infineon Technologies
$2.8
IRFS7430TRLPBF
Infineon Technologies
$0
IPD320N20N3GATMA1
Infineon Technologies
$0