Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IRL3713STRLPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRL3713STRLPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3mOhm @ 38A, 10V
Verlustleistung (Max.) 330W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 110nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5890pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 260A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 156 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPB011N04NGATMA1
Infineon Technologies
$2.8
IRFS7430TRLPBF
Infineon Technologies
$0
IPD320N20N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC600N25NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0