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IFS100B12N3E4_B39
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | IFS100B12N3E4_B39 |
| Beschreibung: | IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 515W |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Paket / Fall | Module |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100A |
| Eingangskapazität (Cies) | 6.3nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 97 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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