Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
BSM75GB170DN2HOSA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| Beschreibung: | IGBT 1700V 110A 625W MODULE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 625W |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | Module |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 110A |
| Eingangskapazität (Cies) | 11nF @ 25V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1700V |
Auf Lager 73 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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