BSM50GD120DN2G
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
Datenblatt: | BSM50GD120DN2G |
Beschreibung: | IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
Eingabe | Standard |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 400W |
Konfiguration | Full Bridge |
Montagetyp | Chassis Mount |
NTC-Thermistor | No |
Paket / Fall | Module |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | Module |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 78A |
Eingangskapazität (Cies) | 33nF @ 25V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 52 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1