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BSM50GD120DN2G

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: BSM50GD120DN2G
Beschreibung: IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 400W
Konfiguration Full Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 78A
Eingangskapazität (Cies) 33nF @ 25V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 52 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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