AIHD06N60RFATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | AIHD06N60RFATMA1 |
Beschreibung: | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 48nC |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 100W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Testbedingung | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
Schalten der Energie | 90µJ (on), 90µJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 8ns/105ns |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO252-3-313 |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 12A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 18A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 55 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.74 | $0.73 | $0.71 |
Minimale: 1