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IKD06N60RAATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IKD06N60RAATMA1
Beschreibung: IGBT 600V 12A TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie TrenchStop™
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 48nC
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 100W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Schalten der Energie 110µJ (on), 220µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 12ns/127ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr) 68ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 12A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 18A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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