GA08JT17-247
Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | GA08JT17-247 |
Beschreibung: | TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | - |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 250mOhm @ 8A |
Verlustleistung (Max.) | 48W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247AB |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Tc) (90°C) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Auf Lager 649 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$53.18 | $52.12 | $51.07 |
Minimale: 1