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SIHG61N65EF-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHG61N65EF-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 47mOhm @ 30.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 520W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max.) 371nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7407pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 64A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 440 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$12.81 $12.55 $12.30
Minimale: 1

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