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GA10JT12-263
| Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | GA10JT12-263 |
| Beschreibung: | TRANS SJT 1200V 25A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 120mOhm @ 10A |
| Verlustleistung (Max.) | 170W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1403pF @ 800V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Auf Lager 721 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $19.24 | $18.86 | $18.48 |
Minimale: 1
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