Image is for reference only , details as Specifications

DMTH6005LPSQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMTH6005LPSQ-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 47.1nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2962pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 99 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.64
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
$0.64
NVMFS5H663NLWFT1G
ON Semiconductor
$0.64
IPD65R660CFDATMA1
Infineon Technologies
$0.64
IPD65R660CFDBTMA1
Infineon Technologies
$0.64