Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPD50N06S2L13ATMA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD50N06S2L13ATMA2
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12.7mOhm @ 34A, 10V
Verlustleistung (Max.) 136W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max.) 69nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1800pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.64 $0.63 $0.61
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NVMFS5H663NLWFT1G
ON Semiconductor
$0.64
IPD65R660CFDATMA1
Infineon Technologies
$0.64
IPD65R660CFDBTMA1
Infineon Technologies
$0.64
NTMFS5C442NLTT3G
ON Semiconductor
$0.63
IPB80N06S407ATMA2
Infineon Technologies
$0.63