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TJ30S06M3L(T6L1,NQ
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVI |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | +10V, -20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 21.8mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 68W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | DPAK+ |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 80nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3950pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 70 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.64 | $0.63 | $0.61 |
Minimale: 1
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