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SI2377EDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI2377EDS-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 104809 pcs

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