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DMC1229UFDB-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMC1229UFDB-13
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.4W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2020-6 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max.) 19.6nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 914pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.6A, 3.8A

Auf Lager 95 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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