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BSS8402DWQ-7
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | BSS8402DWQ-7 |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 60V/50V |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 13.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-363 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 50V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 50pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 115mA, 130mA |
Auf Lager 94 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.14 | $0.14 | $0.13 |
Minimale: 1
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