Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
DMG1016VQ-13
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | DMG1016VQ-13 |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 530mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-563 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.74nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 60.67pF @ 16V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 870mA, 640mA |
Auf Lager 61 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.14 | $0.14 | $0.13 |
Minimale: 1
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