Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BCR555E6327HTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: BCR555E6327HTSA1
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 330mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer BCR555
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Frequenz - Übergang 150MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 14039 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PDTD113ET,215
Nexperia USA Inc.
$0
PDTD123ET,215
Nexperia USA Inc.
$0
PDTB113ZT,215
Nexperia USA Inc.
$0
BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
DTC143XETL
ROHM Semiconductor
$0