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BDW83B
| Hersteller: | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | BDW83B |
| Beschreibung: | POWER TRANSISTOR NPN TO218 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 130W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-218-3 |
| Transistortyp | NPN |
| Betriebstemperatur | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-218 |
| Vce Sättigung (Max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 15A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 750 @ 6A, 3V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 80V |
Auf Lager 52 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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