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BDW83A

Hersteller: Central Semiconductor Corp
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BDW83A
Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Central Semiconductor Corp
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 130W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-218-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-218
Vce Sättigung (Max.) -
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 15A
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 750 @ 6A, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

Auf Lager 73 pcs

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Minimale: 1

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