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BDV65A

Hersteller: Central Semiconductor Corp
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BDV65A
Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Central Semiconductor Corp
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 125W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-218-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang 60MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-218
Vce Sättigung (Max.) -
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 12A
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 5A, 4V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 80V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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