Image is for reference only , details as Specifications

W987D2HBJX7E

Hersteller: Winbond Electronics
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: W987D2HBJX7E
Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SDRAM - Mobile LPSDR
Zugriffszeit 5.4ns
Speichergröße 128Mb (4M x 32)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Not For New Designs
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 90-TFBGA
Taktfrequenz 133MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 90-VFBGA (8x13)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.21 $2.17 $2.12
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

W987D2HBJX6I
Winbond Electronics
$2.21
W987D2HBJX6E
Winbond Electronics
$2.21
W947D2HBJX6E
Winbond Electronics
$2.21
W947D2HBJX5I
Winbond Electronics
$2.21
W947D2HBJX5E
Winbond Electronics
$2.21