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W987D2HBJX6I

Hersteller: Winbond Electronics
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: W987D2HBJX6I
Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SDRAM - Mobile LPSDR
Zugriffszeit 5.4ns
Speichergröße 128Mb (4M x 32)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Not For New Designs
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 90-TFBGA
Taktfrequenz 166MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 90-VFBGA (8x13)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.21 $2.17 $2.12
Minimale: 1

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