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SUP70030E-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SUP70030E-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100 V TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.18mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 375W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 214nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10870pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

Auf Lager 278 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.20 $3.14 $3.07
Minimale: 1

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