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SIHA180N60E-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHA180N60E-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH TO-220 FULLPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 33W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max.) 33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1085pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.12 $3.06 $3.00
Minimale: 1

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