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SQS482EN-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQS482EN-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 62W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 39nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1865pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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