Image is for reference only , details as Specifications

IRF8301MTRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF8301MTRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric MT
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.5mOhm @ 32A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ MT
Gate Charge (Qg) (Max.) 77nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6140pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 34A (Ta), 192A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDD120AN15A0
ON Semiconductor
$0
TSM2N100CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.4
SQJA94EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0.98
PSMN2R8-40BS,118
Nexperia USA Inc.
$0
DMTH4007LK3Q-13
Diodes Incorporated
$0