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SQM200N04-1M7L_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQM200N04-1M7L_GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 375W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263-7
Gate Charge (Qg) (Max.) 291nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 11168pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 800 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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