2SJ649-AZ
Hersteller: | Renesas Electronics America |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | 2SJ649-AZ |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 20A TO-220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Renesas Electronics America |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Bulk |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 Isolated Tab |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 48mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220 Isolated Tab |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 38nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1900pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Auf Lager 46 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.65 | $1.62 | $1.58 |
Minimale: 1