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SQ3460EV-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQ3460EV-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 3.6W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1060pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 73 pcs

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