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FQD2N80TM

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FQD2N80TM
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie QFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D-Pak
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 550pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 823 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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